Globar® SG 和 SR

Globar® SG 和 SR 是最高性能的碳化硅 (SiC) 加热元件,按照超过当今最苛刻高温工艺要求的标准设计而成。

产品信息

每个元件均采用管状结构,包括一个高电阻热区和一个穿过炉壁的低电阻冷端。 加工带一个或多个螺旋切口的管材会形成热区。 这会
延长电流路径长度并减小其横截面积,从而增大电阻。 在冷端的端部喷涂 w,以形成低电阻触点。 Globar® SR 元件有一个双起点螺旋切口,并在一端配有完整的端子总成。

CaptionGlobar® SG element

CaptionGlobar® SR element

产品特性

材料结构与性能

Globar® SG 和 SR 元件具有高密度特性,这是确保其卓越性能的主要特性。 该结构不仅比常规元件的孔少,而且许多孔是封闭的,工艺气体无法进入。 即使在最苛刻的条件下,这也限制了反应速率并延长了元件使用寿命。
在高温下,所有碳化硅元件的电阻都会随时间而增大,但与传统的再结晶元件相比,使用 Globar® SG 和 SR 元件发生这种情况的速率要低得多。 Globar® SG 和 SR 元件的电阻通常比同等尺寸的棒材元件高得多,再加上电阻随时间的低变化率,确保可以直接在本地电源电压下操作大多数系统。

大多数情况下不需要变压器,可以使用固态接触器或晶闸管 (SCR) 来实现低成本控制。

电特性

Globar® SG 和 SR 元件具有典型的 α 相碳化硅的电阻与温度特性。 尽管曲线在 900°C (1650°F) 至最高约 1600°C (2910°F) 的温度范围内保持一致,但在环境温度至 800°C (1470°F) 的范围内出现变化。 室温下的电阻可能是 1000°C (1830°F) 时电阻的几倍,必须始终在高温下测量元件
电阻。
元件类型 密度(g/cm和 lb/in3 孔隙率 (%) 4-pt 抗弯强度 (MPa)
标准密度 2.30 0.08 25.0 50
Globar® SG 和 SR
2.85 0.10 8.5 100

CaptionMicrographs of SiC elements, Globar® SG

CaptionMicrographs of SiC elements, standard density bar