水平扩散组件和垂直扩散组件
Fibrothal®扩散组件有轻型和重型两种规格，可根据其预期用途设计成水平或垂直方向。
选择使用水平炉还是垂直炉取决于多个因素，包括所采用的具体半导体制造工艺以及晶圆厂的生产目标。每种炉型各有其优缺点，选择时可能会受到晶圆尺寸、工艺需求以及整体制造流程等因素的影响。
在实际应用中，半导体制造中同时使用水平炉和垂直炉，选择取决于制造工艺的具体需求与限制。每种炉型都有其适用的工艺范围，制造商通常会在生产设施中结合使用这两种炉型，以满足不同的工艺要求。
行业
产品信息
水平组件
- 组件通常适合尺寸≤200毫米的晶圆。
- 常压工艺的温度范围可在 600 至 1,350°C（1,112 至 2,462°F）之间。
- LPCVD（低压化学气相沉积）工艺的温度范围可在 300 至 1,000°C（572 至 1,832°F）之间。
- 水平设备的操作程度较为依赖人工，通常未在客户的制造单元中集成自动化系统。
- 水平组件通常有3~5个控制区。
垂直组件
- 组件通常适合尺寸≥200毫米的晶圆。
- 常压工艺的温度范围可在 600 至 1,350°C（1,112 至 2,462°F）之间。
- LPCVD（低压化学气相沉积）工艺的温度范围可在 300 至 1,000°C（572 至 1,832°F）之间。
- 客户制造单元内的设备高度自动化。
- 垂直组件通常有4~7个控制区。
相关产品
您感兴趣的其他产品
